ASML是先的半导体设备厂商，随着工艺技术不断缩，三星在16日宣布5nm极紫外光（EUV）制程开发成功，并传今年将量产6nm，台积电傍晚也宣布推出6nm(N6)制程技术，并预计2020年一季度进入试产。DRAM也即将进入1znm，三星已成功研发出1znm DRAM，并预计于2019 年下半年开始大量生产，DRAM进入1znm节点将需要更精密的EUV设备延续摩尔定律，这离不开对ASML EUV设备的需求。
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安森美半导体总裁兼执行长Keith Jackson表示，欢迎格芯Fab 10团队加入安森美，在迈向功率及类比半导体的领先厂商的过程中，取得东菲什基尔300mm晶圆厂是另一个重大进展。未来几年，这座晶圆厂可以挹注更多产能，帮助功率和类比产品的成长、提高生产效率、并加速实现财务模型的进程。
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台积电强调，CoWoS及整合扇出型封装（InFO）仍是2.5D IC封装，为了让芯片效能更强，芯片业花了相当的时间，开发体积小、功能更复杂的3D IC，这项技术需搭配难度更高的硅钻孔（TSV）技术，以及晶圆薄化、导电材质填孔、晶圆连接及散热支持。
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